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太阳能光伏组件 回收1亿韵汇新能源 龙岩组件
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刻蚀

在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程:上片→蚀刻槽(H2SO4HNO3HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2,HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为KOH;H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。











隐裂、热斑、PID效应,是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

1. 什么是“隐裂”

隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷,龙岩组件价格,通俗的讲,就是一些肉眼不可见的细微(micro-crack)。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性,十分容易发生。

在晶体硅组件生产的工艺流程中,许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的根本原因,太阳能光伏组件价格,可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本,晶硅电池片向越来越薄的方向发展,降低了电池片防止机械破坏的能力,更容易产生隐裂。





芯片的背部减薄制程

磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片,光伏组件的价格,外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后,还需要切割成一粒粒的芯片,根据芯片的大小,打印机定影组件价格,一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个CHIP。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近,由于蓝宝石的硬度以及脆性,普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近,然后再使用镭射进行切割。












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